基本的电子元器件

电容器的好坏测量：脱离线路时检测——采用万用表Ｒ×１ｋ挡，在检测前，先将电解电容的两根引脚相碰，以便放掉电容内残余的电荷.当表笔刚接通时，表针向右偏转一个角度，然后表针缓慢地向左回转，表针停下。表针停下来所指示的阻值为该电容的漏电电阻，此阻值愈大愈好，比较好应接近无穷大处。如果漏电电阻只有几十千欧，说明这一电解电容漏电严重。表针向右摆动的角度越大（表针还应该向左回摆），说明这一电解电容的电容量也越大，反之说明容量越小。半导体三极管按功能分：开关管和放大。基本的电子元器件

半导体二极管的伏安特性：二极管的基本特性是单向导电性（注：硅管的导通电压为0.6－0.8V；锗管的导通电压为0.2－0.3V），而工程分析时通常采用的是0.7V.半导体二极管的好坏判别:用万用表(指针表)R﹡100或R﹡1K档测量二极管的正,反向电阻要求在1K左右,反向电阻应在100K以上.总之,正向电阻越小越好.反向电阻越大越好.若正向电阻无穷大,说明二极管内部断路,若反向电阻为零,表明二极管以击穿,内部断开或击穿的二极管均不能使用。了解更多，欢迎来电咨询。元器件电子网IC按功能可分为：数字IC、模拟IC、微波IC及其他IC。

电阻器的含义:在电路中对电流有阻碍作用并且造成能量消耗的部分叫电阻；电阻器的英文缩写：R（Resistor） 及排阻RN；电阻器的常见单位:千欧姆（KΩ）, 兆欧姆（MΩ）；电阻器的常见单位:千欧姆（KΩ）, 兆欧姆（MΩ）；电阻器的特性：电阻为线性原件，即电阻两端电压与流过电阻的电流成正比，通过这段导体的电流强度与这段导体的电阻成反比。即欧姆定律：I=U/R。电阻的作用为分流、限流、分压、偏置、滤波（与电容器组合使用）和阻抗匹配等。

电感器的英文缩写：L (Inductance)；电感器的国际标准单位是: H(亨利),mH(毫亨),uH（微亨）,nH（纳亨）；电感器的单位换算是: 1H=103m H＝106u H＝109n H；1n H＝10-3u H=10-6m H=10 -9H；电感器的特性：通直流隔交流；通低频阻高频。电感器的特性：通直流隔交流；通低频阻高频。.电感在电路中常用“L”加数字表示，如：L6表示编号为6的电感。电感线圈是将绝缘的导线在绝缘的骨架上绕一定的圈数制成。直流可通过线圈，直流电阻就是导线本身的电阻，压降很小；当交流信号通过线圈时，线圈两端将会产生自感电动势，自感电动势的方向与外加电压的方向相反，阻碍交流的通过，所以电感的特性是通直流阻交流，频率越高，线圈阻抗越大。电感在电路中可与电容组成振荡电路。电感一般有直标法和色标法，色标法与电阻类似。如：棕、黑、金、金表示1uH（误差5%）的电感。交流信号从发射极输入，集电极输出，那基极就叫公共极。

半导体二极管英文缩写：D (Diode)；半导体二极管的分类分类：a按材质分：硅二极管和锗二极管；b按用途分：整流二极管，检波二极管，稳压二极管，发光二极管，光电二极管，变容二极管。半导体二极管在电路中常用“D”加数字表示，如：D5表示编号为5的半导体二极管。半导体二极管的导通电压是:a;硅二极管在两极加上电压,并且电压大于0.6V时才能导通,导通后电压保持在0.6-0.8V之间.B;锗二极管在两极加上电压,并且电压大于0.2V时才能导通,导通后电压保持在0.2-0.3V之间.DSP芯片，也称数字信号处理器。电子元件有限公司

半导体二极管按材质分：硅二极管和锗二极管.基本的电子元器件

特别是96、97、98年持续三年的DRAM的跌价、MPU的下滑，世界半导体工业的增长速度已远达不到从前17％的增长值，若再依靠高投入提升技术，追求大尺寸硅片、追求微细加工，从大生产中来降低成本，推动其增长，将难以为继。而IC设计企业更接近市场和了解市场，通过创新开发出高附加值的产品，直接推动着电子系统的更新换代；同时，在创新中获取利润，在快速、协调发展的基础上积累资本，带动半导体设备的更新和新的投入；IC设计业作为集成电路产业的"头儿"，为整个集成电路产业的增长注入了新的动力和活力。基本的电子元器件

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